Մեր օրերում «Առանց սենսորների չեն լինի ժամանակակից գիտությունն ու տեխնոլոգիան» ճանաչված տեսակետ է դարձել ամբողջ աշխարհում։ Երկրները սենսորներին ավելի բարձր դիրքում են դրել, և ոչ ոք չի ցանկանում ետ մնալ մյուսներից՝ զարգացող սենսորային արդյունաբերության մեջ: Խելացի արտադրության ալիքով պայմանավորված՝ Չինաստանի սենսորների շուկան թեւակոխել է արագ աճի նոր փուլ, և իրերի ինտերնետի արդյունաբերության բռնկումով սենսորների արտադրողները պաշտոնապես սկսել են զարգացման դիվիդենտային շրջանը:

2017 թվականի նոյեմբերի 20-ին Արդյունաբերության և տեղեկատվական տեխնոլոգիաների նախարարությունը պաշտոնապես թողարկեց «Խելացի սենսորների արդյունաբերության եռամյա գործողությունների ուղեցույցը (2017-2019)» (որը նշված է որպես «Ուղեցույց»): «Ուղեցույցը» առաջ է քաշել ընդհանուր նպատակը և նախատեսել է զգալի առաջընթացի հասնել սենսորային արդյունաբերության մեջ մինչև 2019 թվականը: Խելացի սենսորների արդյունաբերության մասշտաբը հասել է 26 միլիարդ յուանի, այդ թվում՝ 5 ձեռնարկություններ, որոնց հիմնական բիզնեսը գերազանցում է 1 միլիարդ յուանը, և 2 միլիարդ ձեռնարկություն՝ հիմնական բիզնեսը գերազանցում է 100 միլիոն յուանը: MEMS գործընթացի արտադրական գծի արտադրական հզորությունը անշեղորեն աճել է:

Խելացի սենսորը ընդհանուր միտում է:

2017 թվականի դեկտեմբերի 15-ին արդյունաբերության և տեղեկատվական տեխնոլոգիաների նախարարությունը պաշտոնապես հրապարակեց «Արհեստական ​​ինտելեկտի նոր սերնդի արդյունաբերության զարգացմանը նպաստելու եռամյա գործողությունների ծրագիրը», որը մատնանշեց 2018 թվականից արհեստական ​​ինտելեկտի զարգացման առաջընթացը։ մինչև 2020 թվականը: Ծրագրի հիմնական բովանդակությունը ութ խելացի արտադրանք և չորս հիմնական հիմքերի մշակումն է, և խելացի սենսորները առաջին տեղում են հիմնական հիմքում, որը կարևոր դիրքում է:

Ծրագրում առաջարկվում է մշակել կենսաբանության, գազի և ճնշման նոր խելացի սենսորներ՝ շուկայի լայն հեռանկարներով, և հատուկ պահանջներ են առաջադրվում սենսորների զարգացման մակարդակի համար։ Մինչև 2020 թվականը պիեզոէլեկտրական սենսորների, մագնիսական տվիչների և ինֆրակարմիր սենսորների աշխատանքը զգալիորեն կբարելավվի, մակարդակից ցածր ճնշման տվիչները կառևտրայնացվեն, իսկ մագնիսական դաշտի թույլ թույլատրելիությամբ 1pT մագնիսական սենսորները զանգվածային կարտադրվեն: